集積回路におけるソフトエラーの評価と対策

摘要

トランジスタの微細化に伴い、放射線起因の一過性エラーであるソフトエラーがLSIの信頼性において問題となっている。本稿では65nmプロセスを用いて設計したテスト回路について説明し、中性子照射による加速試験を用いてソフトエラーの特性を測定した結果について報告する。次に特性評価結果を基にしたソフトエラーに耐性を持つフリップフロップの構造や、レイアウトの方法について提案する。提案するフリップフロップ構造のソフトエラー耐性を実測し、通常のフリップフロップよりも100倍以上耐性が高いことを確認した。