纳米集成电路软错误敏感性评估与缓解技术研究

目录

第1章绪 论

1.1 课题背景及研究意义

1.2 国内外研究现状

1.2.1 单粒子瞬态脉冲模型

1.2.2 单粒子多瞬态软错误敏感性评估方法

1.2.3 软错误加固与缓解技术

1.2.4 3D IC 软错误敏感性评估

1.3 相关研究工作评述

1.4 论文主要研究内容

第2章纳米集成电路单粒子瞬态脉冲建模研究

2.1 引言

2.2 经典双指数电流源模型

2.3 影响瞬态脉冲形成的电荷收集

2.3.1 相邻被动节点的电荷收集

2.3.2 双极放大效应所引起的电荷收集

2.4 复合双指数电流源模型研究

2.4.1 瞬时电荷收集

2.4.2 持续电荷收集

2.4.3 复合双指数电流源模型及其参数拟合

2.5 复合双指数电流源模型验证

2.5.1 TCAD 仿真验证

2.5.2 电路级故障注入验证

2.6 本章小结

第3章考虑单元版图信息的电路多瞬态软错误敏感性评估方法研究

3.1 引言

3.2 传统基于电路网表的单粒子多瞬态软错误敏感性评估方法

3.3 考虑单元版图信息的电路单粒子多瞬态软错误敏感性评估方法

3.3.1 版图信息提取方法

3.3.2 仿真模型构建

3.3.3 敏感体有效电荷信息提取

3.3.4 瞬态脉冲形成与故障注入

3.4 评估方法验证及分析

3.4.1 反相器链故障注入验证

3.4.2 测试基准电路故障注入验证与仿真结果分析

3.5 本章小结

第4章基于解析模型的电路多瞬态软错误敏感性评估方法及缓解技术研究

4.1 引言

4.2 基于解析模型的电路单粒子多瞬态软错误敏感性评估方法研究

4.2.1 标准单元库的脉冲产生与传输特性提取

4.2.2 逻辑电路中的屏蔽概率计算

4.2.3 脉冲汇聚与重汇聚处理方法

4.2.4 电路单粒子多瞬态软错误敏感性评估流程

4.2.5 评估方法的验证

4.3 基于多目标粒子群优化算法的电路软错误敏感性缓解技术

4.3.1 门尺寸配置与软错误优化

4.3.2 多目标粒子群优化算法

4.3.3 适应度评价函数设计

4.4 测试基准电路软错误率缓解优化结果

4.5 本章小结

第5章3D SRAM 软错误敏感性研究

5.1 引言

5.2 3D SRAM 堆叠结构软错误敏感性研究

5.2.1 3D SRAM 存储单元敏感体建模

5.2.2 3D SRAM 堆叠结构软错误敏感性仿真模型

5.2.3 3D SRAM 堆叠结构软错误敏感性仿真结果

5.3 TSV 对3D SRAM 软错误敏感性影响的研究

5.3.1 TSV 结构的 3D SRAM 软错误敏感性仿真模型

5.3.2 TSV 对 3D SRAM 软错误敏感性影响的评估

5.4 本章小结

结 论

参考文献

攻读博士学位期间发表的论文及其他成果

声明

致 谢

个人简历