IoTデバイス向けReRAM書き込み電圧生成回路の低電圧化およびコンパレータ回路のバイアス電流最適化手法

摘要

IoT向けのメモリやデータストレージとして，高速かつ低電力動作可能なReRAMが注目されている。IoT向けデバイスは小型化のため，センサ，ReRAMなどのメモリ，およびコントローラ回路を1パッケージ化することが必要とされている。また，IoT向けデバイスはエナジーハーベスト電源での動作を想定しコントローラ回路の低電圧化，高効率化が必要である。本論文では1.0V動作可能なReRAM書き込み電圧生成回路の提案とコンパレータ回路のバイアス電流最適化手法について述べる。提案回路では従来回路と比較してReRAMの書き込み時間を71%削減した。また提案手法により，コンパレータ回路のバイアス電流を8mAで固定とした場合と比較して効率が6.6%増加した。