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用于功率芯片的基准电压和偏置电流产生电路

摘要

一种用于功率芯片的基准电压和偏置电流产生电路,该电路中,偏置电流产生电路产生偏置电流,基准电压产生电路产生基准电压,电流镜电路将偏置电流复制给低压偏置电源电路和偏置电流输出电路,由低压偏置电源电路给偏置电流产生电路、基准电压产生电路和电流镜电路提供电流,偏置电流输出电路则将偏置电流传输给功率芯片的内部电路和其他电路,启动截止电路产生启动电流传输给偏置电流产生电路,偏置电流产生电路导通并产生偏置电流,偏置电流又经过电流镜电路使低压偏置电源电路导通,一旦低压偏置电源电路导通,启动截止电路产生截止信号,启动结束。本发明可耐高压,且具有较高的抗扰动能力,所产生的基准电压受外部电源变化的影响很小。

著录项

  • 公开/公告号CN101782790B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-02-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 灿芯半导体(上海)有限公司;

    申请/专利号CN201010101602.8

  • 申请日2010-01-26

  • 分类号G05F3/16(20060101);

  • 代理机构31249 上海信好专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张妍

  • 地址 201203 上海市张江高科技园区蔡伦路1690号2号楼501室

  • 入库时间 2022-08-23 09:08:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-11-16

    专利权的转移 IPC(主分类):G05F 3/16 登记生效日:20161024 变更前: 变更后: 申请日:20100126

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-02-29

    授权

    授权

  • 2010-09-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 3/16 申请日:20100126

    实质审查的生效

  • 2010-07-21

    公开

    公开

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