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【24h】

統計手法を利用した極低電圧SRAM向けセンスアンプタイミング生成回路

机译:采用统计方法的超低压SRAM读出放大器时序产生电路

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摘要

SRAMの消費電力を低減させるためには,低電圧動作が有効である.低電圧化に伴ってトランジスタのランダムばらつきの影響が大きくなるため,従来の手法で生成されるセンスアンプ活性化信号のタイミングのばらつきが大きくなり,動作周波数が大幅に劣化してしまう.本稿では統計手法を利用してセンスアンプタイミングを生成するスキームを提案し、さらにそのスキームの回路実装方法も提案する.この回路を使用することにより、タイミングばらつきが従来の4倍改善することをシミュレーションで確認した.さらにアクセスタイムの50%近い改善を測定結果で確認することができた.
机译:低压操作可有效降低SRAM的功耗。随着电压降低,晶体管的随机变化的影响增加,因此通过传统方法生成的读出放大器激活信号的时序变化增加,并且工作频率显着劣化。在本文中,我们提出了一种使用统计方法生成感测放大器时序的方案,并提出了用于该方案的电路安装方法。通过仿真确认,通过使用该电路,时序变化提高了4倍。此外,我们能够确定测量结果将访问时间缩短了近50%。

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