アモルファスシリコンAPDを用いた広ダイナミックレンジ·イメージセンサ用回路の設計

秋山正弘; 重倉崇良; 山内仁; 宮澤徹; 上倉龍行; 宮崎祐輔; 原田寛治; 中澤達夫; 澤田和明; Masahiro Akiyama; Takayoshi Shigekura; Jin Yamauchi; Toru Miyazawa; Tatsuyuki Karnikura; Yusuke Miyazaki; Kanji Harada; Tatsuo Nakazawa; Kazuaki Sawada

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アモルファスシリコンAPDを用いた広ダイナミックレンジ·イメージセンサ用回路の設計

机译：使用非晶硅APD的宽动态范围图像传感器电路设计

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イメージセンサの問題のひとつに低照度側へのダイナミックレンジ（DR）の狭さがある．本稿では，CMOSイメージセンサのDRを低照度側へ広げる方法として動作電圧の違う2つのアモルファスシリコン·アバランシェフオトダイオード（a-Si:H APD）を1画素中に用いる方法を提案する．ここでは，入射光の強さによって低照度用APDと高照度用APDの切り替えを行う読み出し回路の回路設計，シミュレ叶ション．レイアウト設計および，広DRイメージセンサ用APDの動作について報告する．

机译：图像传感器的问题之一是朝着弱光的狭窄动态范围（DR）。在本文中，我们提出了一种在一个像素中使用两种具有不同工作电压的非晶硅雪崩光电二极管（a-Si：HAPD）的方法，作为将CMOS图像传感器的DR扩展到弱光侧的方法。这里，是根据入射光的强度在弱光APD和强光APD之间切换的读出电路的电路设计和仿真。我们报告了宽幅DR图像传感器的APD的布局设计和操作。

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来源
《電子情報通信学会技術研究報告. 集積回路. Integrated Circuits and Devices》 |2006年第189期|共6页
作者
秋山正弘; 重倉崇良; 山内仁; 宮澤徹; 上倉龍行; 宮崎祐輔; 原田寛治; 中澤達夫; 澤田和明; Masahiro Akiyama; Takayoshi Shigekura; Jin Yamauchi; Toru Miyazawa; Tatsuyuki Karnikura; Yusuke Miyazaki; Kanji Harada; Tatsuo Nakazawa; Kazuaki Sawada;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
アモルファスシリコンアバランシェフオトダイオード（a-Si:HAPD）; 広ダイナミックレンジ; イメージセンサ; レイアウト設計アバランシェ増倍; Amorphous Silicon Avalanche Photodiode (a-Si:H APD); Wide-Dynamic-Range; Image Sensor; Layout Design; Avalanche Multiplication;

机译：非晶硅雪崩光电二极管（a-Si：HAPD）;宽动态范围;图像传感器;布局设计雪崩乘法;

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1. アモルファスシリコンAPDを用いた広ダイナミックレンジ·イメージセンサ用回路の設計 [J] . 秋山正弘, 重倉崇良, 山内仁, 電子情報通信学会技術研究報告. 集積回路. Integrated Circuits and Devices . 2006,第189期

机译：使用非晶硅APD的宽动态范围图像传感器电路设计
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