首页> 外文期刊>ニュ—ダイヤモンド >究極のⅢ-Ⅴ族化合物半導体材料としての窒化ホウ素への誘い
【24h】

究極のⅢ-Ⅴ族化合物半導体材料としての窒化ホウ素への誘い

机译:邀请氮化硼作为最终的III-V族化合物半导体材料

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
获取外文期刊封面目录资料

摘要

カソードルミネセンス装置で,いくつかの立方晶窒化ホウ素の小さな単結晶を観察していたときである.カソードルミネセンス法とは加速電子線を試料表面上で走査し,そこからの発光を電子線走査と同期させ試料の発光像を得る観察方法である.立方晶窒化ホウ素の高純度結晶は微弱な遠紫外発光を波長200nm近辺で示すので,波長200nmに分光器を設定して良質の結晶を探り出そうとしていたわけであるが,突然スクリーン上にこれまで見たこともないような発光強度を示す像が現れた.
机译:我正在用阴极发光装置观察到一些小的立方氮化硼单晶。阴极发光法是一种观察方法,其中在样品的表面上扫描加速的电子束,并且使来自电子束的发射与电子束扫描同步以获得样品的发射图像。立方氮化硼的高纯度晶体在200 nm波长附近显示弱的远紫外线发射,因此我试图通过将分光镜设置在200 nm波长来找到高质量的晶体,但是突然出现在屏幕上。出现了显示我从未见过的发射强度的图像。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号