UPPめっき装置を用いた三次元実装用シリコン貫通電極形成のための銅めっき技術

摘要

半導体業界では，半導体シリコンチップの高速化と小型化，大容量化が同時に実現できるシリコン貫通電極（TSV：Through Silicon Via）を使用した三次元実装技術が注目されている。当社では実装用めっき装置として「EBARA UFPシリーズ」を製品化しており，銅，はんだなどのバンプや再配線用として使用され，高い生産性と信頼性をもつめっき装置として評価されている。更に同装置をTSV形成用めっき装置として適用するため，電気化学測定及び流体解析によるめっき液特性の評価や装置条件の検討を行った。納入実損の多数ある同装置を用いて優れたTSV形成用の銅めっき技術を確立することができた。