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具有硅贯穿电极的基板的制造方法、具有硅贯穿电极的基板及硅贯穿电极形成用铜膏

摘要

本发明的一方式为一种具有硅贯穿电极的基板的制造方法,其具备:准备工序,准备硅基板,该硅基板设置有贯穿孔,在两个主表面上贯通有贯穿孔;铜烧结体形成工序,以至少填充贯穿孔的方式形成具有多孔结构的铜烧结体;树脂含浸工序,使固化性树脂组合物含浸在铜烧结体中;及树脂固化工序,通过固化含浸在铜烧结体中的固化性树脂组合物,形成包括多孔中填充有树脂固化物的铜烧结体而成的导电体,在贯穿孔中设置硅贯穿电极。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-06-02

    著录事项变更 IPC(主分类):H01L21/3205 专利申请号:2019800956497 变更事项:申请人 变更前:昭和电工材料株式会社 变更后:株式会社力森诺科 变更事项:地址 变更前:日本东京 变更后:日本东京

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