バックグラインダー「GDM 300」を用いたMEMSウェーハ加工技術

摘要

半導体デバイスの高密度化·高速化の市場要求に伴い、デバイスの薄厚化要求は高まる一方である。また、半導体デバイス向けと同様にシリコンウェーハから作られるMEMSの薄摩化要求も急速に増加してきている。MEMSウェーハの薄厚化にはデバイスの構造の違いによって、半導体デバイスのそれとは異なる加工工程や技術が求められることもある。当社バックグラインダー「GDM300」（図1）を用いたMEMSプロセスの加工技術を紹介する。