スパッタリング法によるErドープTaO_x薄膜の作製とその発光特性

摘要

rfスパッタリングによりErドープTaO_x薄膜を成膜し，アニール後，波長550nm及び670nm付近の2つの発光ピークが発現することを確認した．他の手法で作製されたErドープTaO_xと同様，波長550nm付近の発光ピークが優勢であり，肉眼では緑色発光として観察することができた．更に，Er濃度0.96mol％程度，アニール温度900℃，アニール時間20分とした場合が，波長550nm付近のピーク強度が最大となることがわかった．