大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化ゲルマニウム膜の電気特性評価及び高性能薄膜トランジスタの作製

摘要

大気圧マイクロ熱プラズマジェット（μ-TPJ）を石英基板上のアモルファスゲルマニウム（a-Ge）膜へ照射し形成した結晶（c-）Geを用いて薄膜トランジスタ（TFT）を作製し電気特性を評価した。高速横方向結晶化（HSLC）によって結晶化したc-Ge細線は結晶欠陥の抑制により～1.5×10~(16)cm~(-3)の低いキャリア密度と～1070cm~2／Vsの高いホール移動度（μH）を示した。HSLC-Geとゲート絶縁膜としてSiO_2を用いて作製したP型薄膜トランジスタ（TFT）はON／OPF比(R_(ON/OFF)）＝1.4×10~4及び、電界効果移動度（μFE）＝196cm~2/Vsを達成した。