n-GaN/p-SiC-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミツタ接合電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響

摘要

n~+－GaN／p~+-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性に関して，p~+－SiCのアクセプタ濃度(N_a)依存性にっいて調べた.また，SiCポリタイプ（4H－および6H-SiC）との相関についても調べた.電流-電圧特性(I-V)こおいてN_a～10~(19)cm~(-3)を有するダイオードは，トンネル電溌に支配されていることが分かった.一方で，Na~10~(18)cm~(－3)を有するダイオードは優れた整流性を示し，さらにn-GaNからp-SiCへの電子注入効率という観点において6H－SiCが優れていることが示唆された.今回の研究結果により，以前の研究結果(Na～10~(16)cm~(-3)）と比較してp－SiCのトピング濃度を2桁程度向上させつつ優れた整流性を得ることが出来た．