光デバイスの信頼性と劣化機構－結晶·界面制御とデバイス信頼性

摘要

Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体を用いた発光デバイス、特に、GaAs系およびInP系のダブルヘテロ構造レーザおよび発光ダイオードにおける種々の劣化現象に関して現在まで判明したことについて概説する。 ここでは、3つの主要な劣化態様、すなわち、非発光再結合により促進された転位の上昇運動およびすべり運動に起因した速い劣化、長期にわたる緩やかな劣化、および電流サージなどによる衝撃劣化に焦点を当てる。また、それぞれの劣化態様に関して、劣化部の構造解析·組成分析を行った結果について述べる。 さらに、これらの解析結果に基づいて、劣化機構について議論し、劣化の抑制方法を提案する。