高効率熱電変換デバイス用SiGe混晶のゼーべック係数

摘要

我々は，熱電発電デバイスの高効率化やサーモバイル型赤外線センサの高感度化を目指して，熱電変換材料の特性向上の研究を行なってきた．特性向上の方法として，SiGeナノ構造の導入によるゼーべック係数の増加と熱伝導率の低減に注目している．本稿では，SOI（Si on insulator）層，GOI（Ge on insulator）層およびSiGe混晶材料のゼーべック係数の測定を行い，キャリア輸送およびフォノン輸送の観点から解析を行った．