p型GaNゲートを有するノーマリーオフ型GaN系HFETの閾値電圧制御および温度特性

杉山貴之; 飯田大輔; 岩谷素顕; 上山智; 天野浩; 赤崎勇

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p型GaNゲートを有するノーマリーオフ型GaN系HFETの閾値電圧制御および温度特性

机译：具有p型GaN栅极的常关GaN基HFET的阈值电压控制和温度特性

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窒化物半導体ノーマリーオフHFETは高出力·耐環境デバイスとして期待されている。p-GaNゲートを有するIII族窒化物半導体ノーマリーオフ型HFETの高温動作と閾値電圧の制御を確認した．

机译：氮化物半导体常关型HFET有望成为一种高功率且耐环境的器件。我们确认了具有p-GaN栅极的III族氮化物半导体常关型HFET的高温工作和阈值电压控制。

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来源
《電子情報通信学会技術研究報告. 電子デバイス. Electron Devices》 |2009年第157期|共5页
作者
杉山貴之; 飯田大輔; 岩谷素顕; 上山智; 天野浩; 赤崎勇;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类一般性问题;
关键词
AlGaN; GaN; Junction HFET; P-GaNゲート; ノーマリーオフ; 温度特性; 閾値電圧;

机译：AlGaN;GaN;结型HFET;P-GaN栅极;常关;温度特性;阈值电压;

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