縦型共振器構造を有するInGa/InGaAs/GaAsプラズモン共鳴フォトミキサーにおける室温テラヘルツ帯電磁波放射

摘要

InGaP/InGaAs/GaAs高電子移動度トランジスタに二重入れ子型回折格子ゲートと縦型共振器構造を導入したテラヘルツ帯プラズモン共鳴フォトミキサーを試作した。 1.5μm帯の単光波連続光（CW）入力、4.0THzの差周波成分を有する二光波CW入力に対する光応答特性を測定した結果、それぞれ光励起二次元プラズモンによる自己共鳴発振、差周波成分による注入同期共鳴発振に相当する明瞭なピーク特性が得られた。 さらに、1.5μm帯 ?0fsパルス光入力に対する電界応答を反射型電気光学サンプリング法により測定した。 得られた放射スペクトルには、明瞭なプラズモン振動モードが確認できた。 室温条件においてフォトミキサーからのテラヘルツ波放射の観測に成功した。