法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-18
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01S5/183 申请公布日:20150603 申请日:20141102
发明专利申请公布后的驳回
2015-07-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/183 申请日:20141102
实质审查的生效
2015-06-03
公开
公开
机译: 用于产生太赫兹波的半导体晶体,包含该晶体的太赫兹波发生器,用于检测太赫兹波的半导体晶体以及包含该晶体的太赫兹波检测器
机译: 用于产生太赫兹波的半导体晶体,包含该晶体的太赫兹波发生器,用于检测太赫兹波的半导体晶体以及包含该晶体的太赫兹波检测器
机译: 用于产生太赫兹范围内的高频电磁辐射的光导太赫兹发射器,在光导半导体和天线结构之间设置的导电层较差