空気に安定なn-型炭素ナノチェ代ブ電界放出トランジスターのためのポリマー修飾

摘要

現在の半導体化工技術を超える方法として、分子スケールのボトムアップによるナノスケール材料構築法が期待されている。 単層カーボンナノチューブ（SWNT）はナノスクールの血次元分子として有望であり、半導体SWNTを用いて電界効果トランジスター（FET）も製作されている。 N-型、?型半導体いずれもFETに使えるがそのキャリアー密度がその性能を制御してしまう。 SWNTをFETに用いる際には、今まではすべてp-型として作られてきた。 これはSWNTがO_2と反応して電子を奪われるためである。 本論文では、ポリアミン高分子でSWNTを修飾してn-ド加ビングすることによりn-型半導体とし、FETを試作した結果を報告している。