静電2軸MEMS光スキャナの絶縁構造

摘要

MEMS技術を用いて静電垂直コムによって駆動する2軸光スキャナにおいて，SOIウェハの上部シリコン層に溝を掘り，溝下方の埋込酸化膜と裏面支持基板を残したまま可動フレーム内の絶縁構造を形成することで，製造プロセスを大幅に簡略化し，高い電気的な絶縁性を得ることができた。 その結果，4mm角以下のチップサイズで，可動フレームの慣性モーメントを増すことができ，70Hz以下の低周波数での共振動作を実現するとともに，最大機械振れ角±11°以上が可能となった。 またレーザ光線を作製した光スキャナに入射し，2次元ラスタ走査することで，QVGA（320×240画素）レベルの画像表示を実現している。