ИССЛЕДОВАНИЕ ИНДУЦИРОВАННОЙ ФОТО-ТЕРМОПРОВОДИМОСТИ В ГЕТЕРОПЕРЕХОДАХ MN_4SI_7--SI〈MN〉--MN_4SI_7 И MN_4SI_7-SI〈MN〉-M

摘要

Исследована кинетика протекания фототока при "собственном" освещении с hv≥1.12 eV в гетеропереходах Mn_4Si_7--Si〈Mn〉--Mn_4Si_7 и Mn_4Si_7-Si〈Mn〉-M при высоких приложенных напряжениях. Установлено, что протекаемый фототок, рассеиваемая мощность и температура на обратносмещенном контакте гетероперехода при постоянно приложенном напряжении, низких температурах и освещении гетеропереходов с hv≥1.12 eV являются функцией времени. На основе анализа температурных зависимостей величины и формы нарастания фототока во времени показано, что импульсы фототока состоят из двух участков: первый соответствует медленно нарастающему малому значению тока с крутизной ~(2-4)·10~(-4) A/s, а второй участок характеризуется резким нарастанием тока с крутизной ~0.1-1 A/s. По значениям крутизны оценены скорости нагрева β_1 = 42 deg/s и β_2 = 3·10~3 deg/s и величины градиентов температур на переходном слое, соответствующем границе раздела между Мn_4Si_7 и Si〈Mn〉 ΔT/Δx =6.3·10~6 K/сm для β_1 и ΔT/Δx≥1.5·10~8 K/cm для β_2. Показано, что джоулевым самонагревом можно достигать больших скоростей нагрева в обратносмещенном контакте гетеропереходов, что обеспечивает быстрое нагревание, подобное прямоугольной ступени возбуждения, которое эквивалентно включению длинноволнового (примесного) освещения.