В работе методами физического материаловедения - рентгенофазового и резистометрического анализов, просвечивающей электронной микроскопии поперечных срезов, растровой электронной микроскопии, Оже-электронной спектроскопии (ОЭС), масс-спектро-метрии вторичных ионов (МСВИ) резерфордовского обратного рассеяния определены физико-технологические параметры процессов осаждения и термической обработки, которые положены в основу технологии формирования в сверхвысоком вакууме не ниже 10~(-8) Па на монокристаллическом Si ориентации (001) эпитаксиальных пленок силицида Mn_4Si_7 толщиной 60 нм, термостабильных до 1170К. Это стало возможным благодаря использованию поверхностно-активного элемента (сурфактанта) Sb толщиной (0,2...1 монослой) при формировании в наноразмерной пленочной композиции (НПК) Mn(25 HM)/SB (0,2...1 монослой)/буфферный слой Si(100 HM)/Si(001) в результате твердотельных реакций пленки силицида Mn_4Si_7.
展开▼
