ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРНОГО СОВЕРШЕНСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ GAN, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ХЛОРИДНО-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОГО БУФЕРНОГО СЛОЯ

摘要

Проведено исследование структурного совершенства и морфологии поверхности низкотемпературных буферных слоев после осаждения и высокотемпературного отжига, а также высокотемпературных слоев GaN, выращенных на низкотемпературных буферных слоях методом хлоридно-гидридной эпитаксии. По линии источника Ga расход HCl составлял от 0.3 до 2 л/ч, а газа-носителя N2 – 18 или 60 л/ч. Установлено, что на качество низкотемпературного буфера GaN существенное влияние оказывает величина скорости потоков HCl и N_2: лучшие результаты были получены при расходах HCl и N_2, равных 0.3 и 18 л/ч соответственно. Такие слои GaN характеризовались зеркальной поверхностью, величиной полуширины кривой дифракционного отражения 360". Предполагается, что улучшение структуры слоев достигается за счет увеличения латеральной скорости роста.