Низкотемпературное микроволновое магнитосопротивление слабо легированных p-Ge и сплава p-Ge_(1-x)Si_x

摘要

Исследовано магнитосопротивление слабо легированного сплава Ge1-xSix p-типа в области составов x=1-2 ат% и проведено сравнение с данными для слабо легированного p-Ge. Исследования проводились с помощью техники электронного парамагнитного резонанса на частоте 10 ГГц при температурах в диапазоне 10--120 K. Установлено, что наличие микронеоднородностей (кластеров) Si в решетке Ge подавляет интерференционную часть аномального магнитосопротивления, а также приводит к усреднению эффектов от легких и тяжелых дырок. Такое изменение свидетельствует о резком уменьшении времени неупругого рассеяния при переходе от Ge к твердому раствору Ge_(1-x)Si_x.