...
机译:低温微波磁阻轻度掺杂的p-Ge合金和对Ge_(1-X)Si_x
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;
Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences St. Petersburg 194021 Russia;
Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences St. Petersburg 194021 Russia;
Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences St. Petersburg 194021 Russia;
机译:通过量子霍尔效应探测p-Ge_(1-x)Si_x / Ge / p-Ge_(1-x)Si_x量子阱
机译:低温微波磁阻轻度掺杂的p-Ge合金和对Ge_(1-X)Si_x
机译:p-Ge / Ge_(1-x)Si_x量子阱异质结构中杂质光电导的弛豫
机译:平行磁场以宽的p-ge_(1-x)si_x / ge / ge / p-ge_(1-x)Si_x量子致宽的负磁导率
机译:在外加磁场下对镧(1-x)锶(x)锰(x = 0.55)和镧(1-x)钡(x)锰(x = 0.5,0.52)的X射线衍射研究。
机译:铁(II)掺杂铜铁氧体(CuII(x)FeII(1-x)FeIII2O4)的合成表征及应用
机译:平行磁场在a中产生强负磁阻 宽p-Ge_ {1-x} si_x / Ge / p-Ge_ {1-x} si_x量子阱