Перегрев SiC: фототиристора в процессе включения и распространения включённбгб состояния

摘要

Развита простая адиабатическая-модель включения и распространения включенного состояния в SiC-фото-тиристоре, позволяющая оценить перегрев структуры с учетом величины коммутируемого тока /тах, (,, скорости нарастания тока dl/dt, мощности/энергии используемого для коммутации ультрафиолетового источника света, площади, первоначально включаемой светом, и постоянной времени включения тиристора т. Обоснована применимость адиабатического, приближения при оценке перегрева структур. Показано, что мгновенная максимальная плотность мощности приблизительно обратно пропорциональна площади первоначального включения тиристора. Полученные оценки показывают, что во избежание недопустимого ' перегрева структуры значение максимальной плотности тока при включении jmm не должно превышать - (2-3) ? 104 А/см2. Принимая для оценки jmах ~ /max/лr~2_о ~ U_or~2_0R_1, можно для заданного напряжения, с которого включается структура,Uo и выбранного сопротивления нагрузки R_1 оценить радиус оптического окна го.