Исследование структуры дефектов в пленках Сd_Hg_(1-х)Tевыращенных жидкофазной эпитаксией, с помощьюнизкоэнергетической ионной обработки

摘要

С использованием низкоэнергетической ионной обработки и измерения электричсских параметров образцов исследована структура дефектов пленок Сd_Hg_(1-х)Tе, вырашенных жидкофазной эпитаксией. В пленках обнаружены нейтральные дефекты, предположительно связанные с нановключениями теллура. Ионная обработка электрически активирует эти дефекты, создавая в пленках высокую концентрацию цонорных центров (～10~(17) см~(-3)), распадающихся в течение ～ 10~3 мин старения при комнатной температуре. После этого свойства материала определяются концентрацией остаточных доноров, которая для исследованных пленок оказалась очень низкой (вплоть до～10~(14) см~(-3) ).