...
首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Метод определения степени компенсации электрически активных примесей в многодолинных полупроводниках
【24h】

Метод определения степени компенсации электрически активных примесей в многодолинных полупроводниках

机译:确定多谷半导体中电活性杂质补偿程度的方法

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
   

获取外文期刊封面封底 >>

       

摘要

Предложен метод определения степени компенсации k=Na/Nd для примесей мелкого залегания в кристаллах n-Si с невырожденным электронным газом. Приведены необходимые данные, которые обеспечивают удобство при практическом нахождении. степеМ компенсаций.
机译:提出了一种用于确定具有未退化电子气的n-Si晶体中浅杂质的补偿度k = Na / Nd的方法。给出了必要的数据,为实际查找提供了方便。补偿程度。

著录项

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号