Электролюминесценция в гетероструктyрах II типаp-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p(n)-GaSb c глубокимиквантовыми. ямами на гетерогранице

摘要

Исследованы люминесцентные характеристики асимметричных гетероструктур II типа p-InAs/A1Sb/ InAsSb/Alsb/p-GaSb с глубокими квантовыми ямами на гетерогранице, выращенных методом газофазной эпитаксии из метаплорганических соединений. Интенсивная положительная и отрицательная люминесценция наблюдалась в интервале энергий фотонов 0.3-0.4 эB при прямом и обратном смещении соответственно. Изучены зависимости спектров и интенсивности для положительной и отрицательной люминесценции от тока накачки, a также температуры в диапазоне 77-380 К. Установлено, что при температуре свыше 75℃ отрицательная люминесценция превосходит по интенсивности положительную люминесценцию на 60%. Предложенные гетероструктуры могут быть использованы в качестве светодиодов(фотодиодов) c переключаемой положительной и отрицательной люминесценцией в среднем ИК-спектрапьном диапазоне 3-4 мкм.