Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge

摘要

Экспериментально исследован волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs, выращенной на подложке Si с релаксированным буферным слоем Ge. При достижении величины плотности мощности возбуждения 35kW/cm~2 при температуре жидкого азота наблюдалось несколько линий стимулированного излучения в диапазоне энергий 1350-1360 meV.