首页> 外文期刊>Письма в "Журнал технической физики" >P-i-n-структуры на основе высокоомного геттерированного арсенида галлия для детекторов alpha -частиц
【24h】

P-i-n-структуры на основе высокоомного геттерированного арсенида галлия для детекторов alpha -частиц

机译:基于高阻吸气砷化镓的P-i-n结构用于α粒子探测器

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Показана возможность создания p-i-n-детекторов для регистрации alpha-частиц на основе высокоомного (n~1012 cm-3) арсенида галлия, полученного геттерированием лантаноидами низкоомного (n~1015 cm-3) арсенида галлия.
机译:显示了创建p-i-n检测器的可能性,该检测器基于通过用镧系元素吸收低电阻率(n〜1015 cm-3)的砷化镓获得的高电阻率(n〜1012 cm-3)的砷化镓来检测α粒子。

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号