ПОЛУЧЕНИЕ КВАЗИСВЕРХРЕШЕТОК НА ГРАНИЦЕ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО СЛОЯ 3C-SIC И ПОДЛОЖЕК ГЕКСАГОНАЛЬНЫХ ПОЛИТИПОВ SIC МЕТОДОМ СУБЛИМАЦИОННОЙ ЭПИТАКСИИ В ВАКУУМЕ

摘要

Методом просвечивающей электронной микроскопии исследована структура переходного слоя между гексагональной подложкой (6H-SiC и 4H-SiC) и кубическим слоем карбида кремния, выращенным сублимационной эпитаксией в вакууме. Показано, что переходный слой толщиной ~200 nm состоит из чередующихся слоев кубического (3C) и гексагонального (6H) карбида кремния, что установлено микодифракционным анализом. Продемонстрирована возможность получения такой технологией квазисверхрешеток 6H-SiC/3C-SiC и 4H-SiC/3C-SiC.