CNT電界効果トランジス夕

水谷孝

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CNT電界効果トランジス夕

机译：碳纳米管电场效应Transis傍晚

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CNT電界効果トランジスタに関して，コンタクト金属の仕事関数とトランジス夕の導電型との関係，F_4TCNQを使ったケミカルドービング，プラズマCVD用いた半導体的振る舞いを示すDNTの優先成長·原因解明と薄膜トランジスタ応用，水平配向成長技術，n型CNT-FET作製技術に関するわれわれの取り組みの一端を紹介する．

机译：关于CNT电场效应晶体管，接触金属的功函数与Transis Yu的导电类型之间的关系，使用F_4TCNQ进行化学掺杂，使用等离子CVD优先生长/阐明DNT表现出类似半导体的行为以及薄膜应用，水平我们想介绍我们在定向生长技术和n型CNT-FET制造技术方面所做的部分努力。

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来源
《应用物理》 |2010年第10期|共5页
作者
水谷孝;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类应用物理学;
关键词
CNT; Schottky barrier transistor model; F_4TCNQ; edge contact; preferential growth; thin film transistors; horizontally aligned CNTs; ALD; n channel;

机译：碳纳米管;肖特基势垒晶体管模型;F_4TCNQ;边缘接触;优先生长;薄膜晶体管;水平排列的碳纳米管;ALD;n沟道;

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