一种基于规整性碳纳米管条纹阵列的铁电场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于规整性碳纳米管条纹阵列的铁电场效应晶体管及其制备方法。该晶体管单元结构为：底层为底电极层(1)；中间层依次为铁电薄膜绝缘栅层(2)和规整性碳纳米管条纹阵列沟道层(3)，规整性碳纳米管条纹阵列沟道层(3)上为顶层，顶层为晶体管源极(4)和漏极(5)；所述的碳纳米管为单壁碳纳米管、双壁碳纳米管或多壁碳纳米管。该铁电场效应晶体管开态电流大、开关比大、载流子迁移率高、开启电压小、存储窗口宽，同时具有结构简单、不需要缓冲层、铁电层和半导体层界面接触好、容易实现大面积及柔性器件的优势。所述的制备方法工艺简单、操作方便、不需要昂贵设备、成本低廉，易于大面积、规模化工业生产。