首页> 外文期刊>Автометрия >МДП-ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ Ge - ПУТЬ ДАЛЬНЕЙШЕГО РАЗВИТИЯ КМОП-ТЕХНОЛОГИИ
【24h】

МДП-ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ Ge - ПУТЬ ДАЛЬНЕЙШЕГО РАЗВИТИЯ КМОП-ТЕХНОЛОГИИ

机译:基于锗的TIR晶体管-CMOS技术的进一步发展之路

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Рассмотрена возможность дальнейшего улучшения параметров полупроводниковых интегральных схем путём замены слоя кремния в МДП-транзисторе материалом с более высокой подвижностью носителей заряда. Показано, что по совокупности свойств для этого больше всего подходит германий. Приведены разработки, созданные в данном направлении в различных лабораториях как в России, так и за рубежом.
机译:考虑通过用电荷载流子迁移率较高的材料代替MIS晶体管中的硅层来进一步改善半导体集成电路的参数的可能性。已经表明,就性能的组合而言,锗最适合于此。介绍了俄罗斯和国外各个实验室在这个方向上所取得的进展。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号