Pt/SrBi{sub}2Ta{sub}2O{sub}9/Hf-Al-O/Siダイオードの素子特性に及ぼすHf-Al-O層への窒素導入の効果

摘要

本研究において，そのような膜中への窒素の取り込みが，本当に優れた素子特性をもつMFIS FETの作製に寄与し得るかどうかを調べるために，HAOを窒素あるいは酸素雰囲気中で堆積したPt/SBT/HAO/Siダイオードをそれぞれ作製した．なお，堆積雰囲気ガス以外の作製条件はすべて同一にした．素子特性として，容量－電圧(C-V)特性を調べた．さらに，断面の走査型透過電子顕微鏡(Scanning Transmission Electron Microscope, STEM)観察，および二次イオン質量分析(Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS)の測定を行い，HAOの堆積雰囲気ガスがPt/SBT/HAO/Siダイオードの素子特性に及ぼす効果を評価した．