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【24h】

自己組織化構造を用いた化合物半導体のナノ·マイクロファブリケーション(II)-結晶異方性を利用した湿式エッチングによるGaAsの微細加工

机译:使用自组装结构精细加工GaAs并通过晶体各向异性湿法刻蚀对化合物半导体进行纳米微制造(II)

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摘要

自発的に形成される自己組織化構造を用いたナチュラルリソグラフィーと湿式での化学的あるいは電気化学的エッチングを組み合わせ,半導体の持つ結晶異方性を利用すると,従来のドライエッチングでは得られないナノ·マイクロ構造を作り出せる.本稿ではGaAsの三角プリズム型ピラーアレイおよびナノワイヤの作製とその応用例について紹介する.
机译:通过将使用自然形成的自组装结构的自然光刻技术与湿法化学或电化学蚀刻技术相结合,并利用半导体的晶体各向异性,可以使用常规干法蚀刻无法获得的纳米级产品。可以创建微结构。介绍了砷化镓三棱柱型柱阵列和纳米线的制备及其应用实例。

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