抵抗変化メモリーを開発、1,000倍の高速化に成功

摘要

産業技術総合研究所はシャープと共同で、実用的な高速動作の不揮発性抵抗変化メモリー（RRAM）を開発したと発表した。 既存のNOR型フラッシュメモリーと同等のコストで約1,000倍高速化する。 相補型金属酸化膜半導体（CMOS）製造プロセスに適用でき、貴金属など高価な部材を使わない。