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摘要
第1章前言
1.1四倍率静态存储器(Quad Data Rate SRAM,QDR SRAM)技术的提出
1.2四倍率静态存储器的参数和演变
1.3目前QDR存储器接口电路的水平
1.4研究内容简介
1.5研究的主要内容和创新
1.6论文的内容安排
第2章基于缓存的接口技术
2.1 FPGA厂商提供的常规的技术
2.1.1输出转换的实现
2.1.2输入转换的实现
2.1.3常规电路的总结
2.2第四层系统包接口的技术
第3章四倍率存储器接口的基本原理
3.1 IDT71P72604的介绍
3.1.1框图
3.1.2接口
3.1.3时序
3.1.4时序参数(200MHz)
3.2 QDR接口电路与内部缓存的接口介绍
3.2.1接口
3.2.2时序
3.3模块之间信号的定义
3.3.1接口
3.3.2时序
3.4设计的难点
3.5研究后的改进方案
3.6输入电路实现原理
3.7技术特点
第4章简单的基于相位检测的QDR接口技术
4.1抖动范围的分析
4.2常规的十选一的选择器的竞争和冒险
4.3特殊的时钟选择器
4.4将数据转换到mclk域
4.5顶层框图
4.6采样和判断模块(qdr_clk_sel)工作过程的介绍
4.7时钟选择器的优化
4.8时钟树
4.9时序的检查
4.10设计的验证
4.11仿真波形
4.12最终产品验证结果
第5章设计总结
5.1我的研究对此技术发展的贡献
5.2技术或论文的可改进之处
参考文献
致谢