次世代電子デバイスとして期待されるナノレベル細線の制御技術

摘要

電気化学を用いて液相中で基板上に分子細線を1分子レベルで制御しながら1方向に作り並べる技術、"電気化学エビタキシヤル重合"を開発した。 この方法を用いた次世代ナノレベル細線の構築技術について解説する。 近年の半導体集積化の進歩は著しく、微細加工レベルは100nm以下に達しようとしている。 しかしながら、さらに集積度が上がるとバルクの物性は変化して量子効果が現われるようになり、バルク電子物性を利用する従来のエレクトロニクスの限界が生じる。