レーダ用固体化電力増幅器向けX帯130W級GaN HEMT

摘要

東芝は，気象レーダや船舶レーダなどに用いられるマイクロ波固体化電力増幅器（SSPA）向けの高周波·高出力素子として，X帯（8～12GHz帯）130W級窒化がノウム（GaN）高電子移動度トランジスタ（HEMT）を開発した。このGaN HEMTは，既開発のチップ構造に改良を加えるとともに，高調波ロードプルを用いた整合回路設計により性能向上を図り，周波数9.0GHzのパルス動作（デューティ比10％，パルス幅100μs）で，飽和出力144W，電力付加効率52％を達成した。これにより，X帯レーダシステムは高精度化や，長寿命化，小型·軽量化などを実現できることから，今後電力増幅器の固体化がいっそう加速すると考えられる。