東芝は,衛星通信基地局やレーダなどで用いられる固体化電力増幅器(SSPA:Solid State Power Amplifier)向けの高周波·高出力増幅素子として,C帯(4~8GHz)の5GHz帯で160W級の窒化がノウム(GaN)電力HEMT(High Electron Mobility Transistor:高電子移動度トランジスタ)を開発し,これを8合成することにより小型で軽量な出力電力1kW級の5GHz帯気象レーダ用SSPAを開発した。このSSPAは,従来の90W級ガリウムヒ素(GaAs)電力FET (電界効果トランジスタ)を使ったSSPAに比べ,容積及び質量を約1/2に小型化できた。また,従来のSSPAと同様にスプリアスレベルを低く抑えられるので占有周波数帯域幅を狭くすることができ,電波を有効利用できるという特長がある。
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