化学修飾によって制御した自己組織化リソグラフィ技術：ポリマーの配向を高度に制御して,超微細化と低コスト化を実現

摘要

半導体リソグラフィ技術は，NANDフラッシュメモリなどの微細化を支えていまもしかし，更に微細化を進めようとすると，従来のトップダウン法では限界であることが予測されます。一方，ブロックコポリマーと呼ばれる高分子材料は，自己組織化現象によって自発的に微細パターンを形成します。この原理を応用した微細化技術はボトムアップ法と呼ばれていますこ今回，半導体デバイスの回路パターンに合わせて，従来のトップダウン法で化学修飾膜のパターンを形成し，ボトムアップ法で微細パターンを作製しました。この方法は，単純なプロセスのため，コストを大きく削減できると期待されます。