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2.5Tビット/in~2級HDDを実現するナノコンタクトMR素子:1nm級の磁性ナノコンタクトにより,超微細ビット情報を読み取る

机译:纳米接触MR元件,实现2.5T位/ in〜2级HDD:通过1nm级磁性纳米接触读取超细位信息

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摘要

HDD(ハードディスクドライブ)の記録密度が2T(テラ:10~(12))ビット/in~2以上になると,トンネル電流を用いた現行の再生ヘッドでは,抵抗の増大により高品質の読取りが困難になります。東芝は,低抵抗かつ高感度(100%級の抵抗変化率)が原理的に期待できる,二つの磁性層の間に磁性ナノコンタクト部を分散配置した読取り素子の開発を進めてきました。今回,イオンアシスト酸化とポスト熱処理のキープロセスを開発することで抵抗が現行ヘッドの1/4となる条件で30~40%の抵抗変化率を実現しました。これは,2.5Tビット/in~2のHDDの読取りを可能にする性能です。今後は,熱処理温度の低減を検討し,試作ヘッドによる性能検証を目指します。
机译:当HDD(硬盘驱动器)的记录密度达到2T(tera:10〜(12))位/ in〜2或更多时,由于电阻的增加,使用隧道电流的当前回放磁头很难读取高质量的图像。成为。东芝一直在开发一种读取元件,其中磁性纳米触点分布并布置在两个磁性层之间,原则上可以预期该电阻具有低电阻和高灵敏度(100%类电阻变化率)。通过开发用于离子辅助氧化和后热处理的关键工艺,在电阻为电流头的1/4的条件下,我们实现了30-40%的电阻变化率。这种性能可以读取2.5 Tbit / in〜2 HDD。将来,我们将考虑降低热处理温度,并旨在通过原型机头验证性能。

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