イオン注入ダイヤモンドからの大電流密度電子放出

摘要

物質中最高の硬さと熱伝導性などで知られるダイヤモンドは，同時にシリコン(Si)の約5倍の禁制帯幅を持つワイドギャップ半導体である。バワーデバイス応用で高い性能が理論予測されているほか，電子放出材料としても有望である。 東芝は，高品質ダイヤモンド結晶膜の成長技術及びイオン注入による表面加工とオーミック電極形成により，実電流で1mA以上1A/cm{sup}2を超える大電流密度電子放出を得た。 高い熱伝導性と構造強度に基づく高バワー密度電子源の可能性を示すものである。 今後，n型伝導や表面障壁の制御などに取り組み，ダイヤモンド半導体応用の先駆けとして電子源の開発を進めていく。