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含锆钨基的高电流密度电子发射体材料及制备方法

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摘要

本发明涉及一种高电流密度电子发射体材料及制备方法，尤其涉及一种含锆钨基的高电流密度电子发射体材料及制备方法；本发明材料的基体为二氧化锆和钨，称取钨粉于氢炉内退火，粉碎，过80目筛后与ZrO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-01-07

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 1/14 授权公告日:20101208 终止日期:20131128 申请日:20071128

专利权的终止
2010-12-08

授权

授权
2008-09-10

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-07-16

公开

公开

1. 含锆钨基的高电流密度电子发射体材料及制备方法 [P] . 中国专利： CN101221869B . 2010.12.08
2. 稀土钪钨基高电流密度电子发射体材料及其制备方法 [P] . 中国专利： CN1176480C . 2004.11.17
3. A PROCESS FOR THE RECOVERY OF TUNGSTEN,TANTALUM,NIOBIUM AND ZIRCONIUM FROM ORES CONTAINING THEM BY FROTH FLOTATION [P] . IN164826B . 1989-06-10

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4. Process for preparation of zirconium tungstate ceramic body, zirconium tungstate ceramic body prepared thereby, and temperature compensated fiber bragg grating device [P] . 美国专利： US6936235B2 . 2005-08-30

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5. Process for preparation of zirconium tungstate ceramic body, zirconium tungstate ceramic body prepared thereby, and temperature compensated fiber bragg grating device [P] . 美国专利： US2003054941A1 . 2003-03-20

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