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公开/公告号CN1176480C
专利类型发明授权
公开/公告日2004-11-17
原文格式PDF
申请/专利权人 北京工业大学;
申请/专利号CN02131345.8
发明设计人 王金淑;周美玲;王亦曼;陶斯武;
申请日2002-09-29
分类号H01J1/14;H01J1/30;C22C27/04;
代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;
代理人张慧
地址 100022 北京市朝阳区平乐园100号
入库时间 2022-08-23 08:57:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-11-29
专利权的终止未缴年费专利权终止
2004-11-17
授权
2003-03-12
公开
机译: 稀土各向异性磁体材料及其制备方法,稀土磁体前体材料及其制备方法
机译: 通过煅烧钪化合物的氟化钪盐的钪金属和Al-Sc合金的制备方法,其形式为(NH4)2NASCF6
机译: 增强钨基复合材料中微量元素和稀土氧化物的制备方法
机译:从重构钨的三面角(111)看高电流密度场电子发射期间发射极表面的变化
机译:在从三角形角度(111)重建钨的高电流密度的现场电子发射时改变发射器的表面
机译:钨涂层金刚石对面向等离子体材料(PFM)的金刚石/钨基复合材料的微观结构和导热性的影响
机译:纳米稀土钨发射材料的制备及热电子发射研究
机译:高电流密度阴极对电偶极层增强场和热电子发射的纳米尺度研究。
机译:WNxCy薄膜化学气相沉积前驱体钨基氨基胍基胍基钨配合物的合成与表征
机译:与其他稀土钪酸盐相比,稀土钪酸盐的导热系数 氧化基质晶体
机译:从钨坩埚中分离钪,使用酸浸法从钨金属坩埚中分离钪金属的初步研究。