CeRh_2Si_2の量子臨界点近傍に於ける電子物性

摘要

ThCr_2Si_2型正方晶の結晶構造をもつRT_2X_2（R＝希土類、T：遷移金属、X：メタロイド）は、超伝導、磁性および重い電子状態など様々な物性を示すことで盛んに研究が行われている物質群である。 最近いくつかの近藤化合物で元素の置換や圧力によって磁性が抑えられ、磁気転移温度が0Kになる近傍（磁気不安定点もしくは量子臨界点）において通常のフェルミ液体とは違った振る舞い、いわゆる非フェルミ液体状態が観測されている［1]。 CeRh_2Si_2はCe化合物の中でもっとも高い磁気転移温度T_(N1)（＝36K）を示す反強磁性体であり、さらに温度を下げていくとT_(N2)（＝26K）で磁気モーメントの配列が異なる反強磁性相に転移する。 我々はこの物質の反強磁性秩序が1.11GPa（＝P_c)で消失してしまうことを高圧下における熱膨張の測定から明らかにした［2］。 この物質においてもP_c近傍での超伝導や非フェルミ液体状態の発現が期待される。 そこでわれわれはこの化合物の圧力によって誘起された量子臨界点近傍における電気抵抗のふるまいを明らかにするため電気抵抗の温度依存を低温、高圧下において測定した。