CoFeB/MgO/CoFeB磁気トンネル接合におけるアモルファスCoFeB膜の結晶化過程

摘要

アモルファスCoFeB膜を用いたCoFeB/MgO/CoFeB磁気トンネル接合(MTJ)は，室温で200％を超える巨大なMR比を発現することから，より高感度な磁気ヘッドやMRAMへの応用が期待されている．そのような高MR比が発現するためには，i) MgOがアモルファスCoFeB上で(001)配向して結晶成長すること，ii)アニール後にアモルファスCoFeBが結晶化し(001)配向することが必要条件と考えられている．しかしながら，詳細の結晶配向のメカニズムは未だ明らかにされていない部分が多い．本研究ではアモルファスCoFeB層に注目し，アニール処理による結晶化過程についてX線回折(XRD)および透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて解析を行った．