Auナノ粒子を用いた2重トンネル接合におけるクーロンブロッケードとスピン蓄積効果

摘要

ナノ粒子を有する2重トンネル接合では，ナノ粒子のクーロンブロッケード(CB)やスピン蓄積効果(SA)が磁気伝導現象に影響を及ぼす。 これまで我々は、Julliereモデルの範疇ではTMRが生じないはずのAu粒子を用いた2重トンネル接合を作製し、Au粒子内スピン蓄積によるTMRを観測することに成功している。 しかしながらその試料では、観測されたTMRには粒子を介さない上下強磁性電極間のダイレクト電流によるTMRが重畳しており、それとスピン蓄積型TMRとの分離が出来なかった。 本研究では、絶縁体の膜厚を均一にかつ高精度に制御するために、分子線エピタキシー法（MBE法）によるMgOバリア形成の手法を用い、電極間ダイレクト電流を抑制することにより、スピン蓄積型TMRのみを観測することを目的とした。